多晶硅还原设备有哪些（多晶硅还原工艺流程）

本文目录一览：

• 1、多晶硅还原炉是电炉吗
• 2、多晶硅的生产工艺流程及有关设备有哪些?
• 3、多晶硅还原车间属于无尘车间吗
• 4、化学法提纯高纯多晶硅的方法
• 5、多晶硅还原炉有什么危险吗

多晶硅还原炉是电炉吗

1、天。现在的多晶硅还原炉出一炉时间一般是5-10天左右。所以一年的工作时间也就52天左右。

2、肯定是不一样的啊。不过炉子的外形结构是一样的，不过作用和具体构造肯定是不一样的。还原炉，就是将硅芯至于石墨夹头中，而石墨夹头放在银电极上，通过高压击穿硅芯，使三氯氢硅被氢气还原出来的硅在硅芯上面均匀的生长。而氢化炉则是通过炭炭加热体加热使四氯化硅被氢气还原为三氯氢硅。

3、年8月6日，48对棒还原炉，2013年8月13日，产出了第一炉48对棒多晶硅。多晶硅是光伏产业的最原始的材料，经过拉棒、切片、做电池、封装形成光伏电池组件。在2013年8月6日，48对棒还原炉正式进料，2013年8月13日，顺利产出了第一炉48对棒多晶硅。

多晶硅的生产工艺流程及有关设备有哪些?

多晶硅生产的关键设备包括： 氯化氢合成炉和三氯氢硅沸腾床加压合成炉，用于三氯氢硅的生产。 三氯氢硅水解凝胶处理系统，用于处理合成过程中的副产品。 三氯氢硅粗馏和精馏塔提纯系统，用于提高三氯氢硅的纯度。 硅芯炉，用于生产硅芯。 节电还原炉，用于将三氯氢硅还原为多晶硅。

随后，经过净化的三氯氢硅采用高温还原工艺。在高温下，高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积，从而生成多晶硅。其化学反应为SiHCl3+H2→Si+HCl。 多晶硅的生产反应容器为密封设备。

净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl+H→Si+HCl。多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。

包括多晶硅炼制过程中的坩埚、坩埚支撑系统、倾动装置等。多晶硅成品区：包括多晶硅的切割设备、研磨设备、清洗设备等。此外，多晶硅公用工程还包括相关的辅助设施和设备，如电力供应系统、水处理设备、废水处理设备、食品和住宿设施等。这些设施和设备的完善性和高效性对于多晶硅生产工艺的顺利进行至关重要。

单晶硅硅片因为使用硅棒原因，四角有圆形大倒角，而多晶硅硅片一般采用小倒角。生产方法 工艺—清洗硅料 除去硅料表面的石英、金属离子等，先使用碱液去除石英等，再使用酸混合液酸洗，在用去离子水冲洗液浸泡至中性，最后烘干分类存放。

主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注进，在石墨管内壁1500℃高温处反应天生液体状硅，然后滴进底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。

多晶硅还原车间属于无尘车间吗

1、多晶硅还原车间通常不属于无尘车间。因为多晶硅还原过程中会产生较多的粉尘和气体，而无尘车间通常是指在生产过程中采用一系列技术和设备来控制和减少粉尘、微粒和细菌等微生物的存在和扩散，以保证产品质量和人员健康。

2、还原车间：没有专门的保洁人员。环境方面：多晶硅冷氢化车间是无尘车间，是没有任何的垃圾的。还原车间有煤气，环境不好。生产多晶硅的厂工作，在多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢，对健康有影响。

3、在这一年中，我一直在系统部件制造部设备系工作，负责产线车间所有设备的维护与调试以及产线设备操作技术指导。在这期间，我除负责产线设备维护，调试工作外，还承担车间现场ESD维护员和现场工装技术员的职责。

化学法提纯高纯多晶硅的方法

多晶硅生产的西门子工艺，其原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。改良西门子工艺是在传统西门子工艺的基础上，同时具备节能、降耗、回收利用生产过程中伴随产生的大量HHCI、SiCI4等副产物以及大量副产热能的配套工艺。

高纯硅的制备化学方程式：SiO2+C=Si+2CO，Si+2Cl2=SiCl4，SiCl4+2H2=Si+4HCl，反应条件都是：高温。高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。多晶硅，是单质硅的一种形态。

多晶硅生产工艺流程如下：石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO_+C→Si+CO_↑。为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅（SiHCl_）。

首先，石英砂在电弧炉中经过冶炼，提纯至98%，生成工业硅。这一步骤的化学反应为SiO2+C→Si+CO2↑。 为了达到高纯度的要求，工业硅需进一步提纯。将其粉碎后，与无水氯化氢(HCl)在流化床反应器中反应，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。 随后，经过净化的三氯氢硅采用高温还原工艺。

目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。一般说来，由于三氯氢硅还原法具有一定优点，目前比较广泛的被应用。此外，由于SiH4具有易提纯的特点，因此硅烷热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。下面我们就分别介绍上述三种方法制备高纯硅的化学原理。

多晶硅还原炉有什么危险吗

1、危险1：夹套或冷却水供应不上烧坏炉子；危险3：电极和视镜是整个还原炉最脆弱的地方，一定要保证冷却水；危险4：在停炉时要做好降温和置换工作，尤其是对视镜等做检修时要确保里面的氢气置换完全，不然易发生事故，有过先例的！总之，按照操作规程来，小心驶得万年船。

2、高温和高压：多晶硅还原炉装置需要在高温、高压环境下运行，操作人员可能会受到高温和高压导致的烫伤或爆炸等风险。 化学物质：多晶硅还原炉装置中使用的化学物质，如氯化硅、氯化氢等，具有腐蚀性、刺激性和有毒性。操作人员需要做好个人防护，避免直接接触或吸入有害气体。

3、多晶硅的危害主要在其生产过程中有氢气、液氯、三氯氢硅等有害物质生成，生产过程中又存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险因素。多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有：１）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。

4、高温击穿是还原炉中硅芯启动的一种方式，硅芯是半导体，通过加热改变半导体的电阻率，使其成为导体。

5、还原炉排出的尾气HSiHClSiClSiH2Cl2 和HCl经过分离后再循环利用。硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。