扩散方阻差有哪些原因（扩散阻力是什么）

本文目录一览：

• 1、扩散时如果出现方阻偏小,可能的原因是什么?怎么解决?
• 2、扩散方阻过高有啥影响

扩散时如果出现方阻偏小,可能的原因是什么?怎么解决?

1、如果扩散不到，增大N2的携带流量。方块电阻偏高，加大源量，延长扩散时间，通入足够量的小N2和02，一般偏差几个欧姆通过温度调整。方块电阻偏低，减少扩散温度，减少扩散时间。扩散后单片上电阻不均匀，调整扩散气流量。

2、方阻与电阻率和结深有关 方阻＝电阻率/结深 是不是扩散深度小？或者掺杂太轻。

3、前面是小case的问题 不过后面个问题比较2 抽风是外围负责的。扩散对各项电性能参数的影响？个人觉得这还是比较好的问题，比较具有典型性，因为有些在前道工作的工艺员，他一般是不会太关注这个的。

扩散方阻过高有啥影响

扩散速率降低，扩散平衡受影响。扩散速率降低：扩散方阻过高会增加扩散物质在介质中的阻力，使得物质的扩散速率变慢。扩散平衡受影响：扩散方阻增加会导致达到扩散平衡所需的时间变长。在扩散过程中，高浓度区域和低浓度区域之间的浓度差异需要足够的时间才能达到平衡状态。

照道理，杂质的浓度越大，自建电场越强，对光生载流子的作用越强，光生伏打效应越强，但工艺的时间和成本会越高...所以对电池片的影响，不能光看扩散的方块电阻。还要考虑许多方面的因素。

硼扩散方阻范围是越小越好。根据查询相关公开信息显示，硼扩散方阻（sheetresistance）是衡量硅片材料电学性质的重要指标之一，它与硅片的电阻率成反比，这意味着硅片材料的电阻率越低，导电能力越强，因此对于硼扩散方阻是越小越好。

方阻与电阻率和结深有关 方阻＝电阻率/结深 是不是扩散深度小？或者掺杂太轻。

要得到低表面浓度又要保持相同的方阻，最重要的要明白表面浓度和结深决定方阻的大小，方法还是有的。方法一：做普通的扩散，将方阻做到120~150ohm；后去PSG ，再将这些硅片放入炉子中氧化，氧化的温度和时间可以决定表面浓度和结深。

你好，太阳能电池的扩散长度指材料中的少数载流子扩散长度，反映了少数载流子的寿命。扩散长度越长，说明少子寿命越长，材料缺陷越少，质量高。太阳能电池的量子效率和转换效率也就越高。它是反映半导体材料质量很重要的一个参数。单晶硅太阳能电池的扩散长度就比多晶硅的长。而非晶硅是最短的，效率最低。